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Optodiode光電二極管陣列

Optodiode光電二極管陣列

簡要描述:Optodiode光電二極管:多元件和陣列探測器
光電二極管提供標(biāo)準(zhǔn)和自定義配置的多元件或陣列探測器,以緊湊的封裝提供我們的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)勢。

產(chǎn)品型號: AXUV20ELG

所屬分類:光電探測器陣列

更新時間:2024-05-07

詳細說明:

Opto Diode光電二極管陣列,電子檢測的理想選擇
Opto Diode提供標(biāo)準(zhǔn)和定制配置的多元素或陣列探測器,以緊湊的封裝提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)點
Opto Diode光電二極管陣列有兩種型號,采用40針雙列式封裝或者22針雙列式封裝,是電子檢測的理想選擇。有保護性蓋板,以保護光電二極管陣列和導(dǎo)線連接。波威Opto Diode光電探測器陣列可以在紫外、可見、近紅外光中進行響應(yīng),從典型的紫外-可見-近紅外光子響應(yīng)性圖中可以看到靈敏度小于0.5A/W。
光電二極管陣列有效面積分別是3mm2和10mm2,AXUV16ELG光電二極管陣列是16個元件光電二極管陣列,AXUV20ELG多元素陣列是20個元素的陣列。光電二極管陣列儲存和工作溫度范圍在外界下是-10°C~40°C,在氮氣和真空下溫度是-20°C~80°C,引線焊接的溫度是260°C。超過這些參數(shù)的溫度可能會在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長。隨著時間的推移,對低能量輻射和150納米以下波長的響應(yīng)性將受到影響。距離外殼0.080英寸,持續(xù)10秒。發(fā)貨時帶有臨時蓋子,以保護Opto Diode光電探測器陣列和導(dǎo)線連接。在拆除蓋子之前,請查看應(yīng)用說明 "AXUV、SXUV和UVG檢測器的處理注意事項"。
AXUV16ELG光電二極管陣列的特點,
- 40針雙列式封裝
- 是電子檢測的理想選擇
- 保護性蓋板
在25°C時的電光特性
AXUV16ELG光電二極管陣列在2mmx5mm的測試條件下,有效面積的典型值是10mm2。當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時,反向擊穿電壓典型值是25V。VR=0V時,電容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V測試條件下,上升時間典型值為500納秒。在Vf=±10mV測試條件下時,每個元件的分流電阻值是100歐姆。


AXUV20ELG光電探測器陣列的特點
- 22針雙列式封裝
- 是電子檢測的理想選擇
- 保護性蓋板3
AXUV20ELG光電探測器陣列在0.75mmx4.1mm的測試條件下,有效面積的典型值是3mm2,靈敏度見圖,當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時,反向擊穿電壓典型值是25V,最小值是20V。VR=0V時,電容,最大值是1nF。VR=0V測試條件下,上升時間典型值為200納秒。在Vf=±10mV測試條件下時,每個元件的分流電阻值是100歐姆。

Opto Diode光電二極管陣列型號

AXUV16ELG

ODD-AXU-023

16元件光電二極管陣列,是電子檢測的理想選擇

10mm2

AXUV20ELG

ODD-AXU-033

20元件光電二極管陣列是電子檢測的理想選擇

3mm2

 

美國Optodiode光電二極管:多像元和陣列探測器

光電二極管提供標(biāo)準(zhǔn)和自定義配置的多元件或陣列探測器,以緊湊的封裝提供我們的AXUVSXUV、UVGNXIR系列的所有優(yōu)勢。

AXUV16ELG   ODD-AXU-023     16 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection

AXUV20ELG   ODD-AXU-033     20 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection

AXUV16ELG ODD-AXU-023 16元件光電二極管陣列是電子探測的理想選擇

AXUV20ELG ODD-AXU-033 20元件光電二極管陣列是電子探測的理想選擇

Optodiode光電二極管:電子、光子、X射線探測器(AXUV

AXUV系列探測器的特點是對0.0124nm190nm的光子、電子或X射線進行高性能測量,并檢測100eV50keV的能量。

型號       描述

AXUV100G     ODD-AXU-010     Large Photodiode Ideal for Radiation Detection      

AXUV20A       ODD-AXU-026     Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection  

AXUV20HS1   ODD-AXU-036     High Speed Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection      

AXUV300C     ODD-AXU-082     Large Rectangular Photodiode Ideal for Radiation Detection

AXUV576C     ODD-AXU-048     Large Square Photodiode Ideal for Radiation Detection  

AXUV63HS1   ODD-AXU-049     High Speed Circuclar Photodiode Ideal for Radiation Detection    

AXUV63HS1-CH   ODD-AXU-051     High Speed Circular Photodiode with Center Hole Ideal for Radiation Detection

AXUV100G ODD-AXU-010 大型光電二極管是輻射檢測的理想選擇

AXUV20A ODD-AXU-026 圓形光電二極管是輻射探測的理想選擇

AXUV20HS1 ODD-AXU-036 高速環(huán)形光電二極管是輻射探測的理想選擇

AXUV300C ODD-AXU-082 大型矩形光電二極管是輻射探測的理想選擇

AXUV576C ODD-AXU-048 大型方形光電二極管是輻射探測的理想選擇

AXUV63HS1 ODD-AXU-049 高速環(huán)形光電二極管,輻射探測的理想選擇

AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 帶中心孔的高速圓形光電二極管是輻射探測的理想選擇

光電二極管:EUV增強型探測器(SXUV

SXUV系列極紫外(EUV)增強型探測器具有好的13.5nm光刻能力,在1nm190nm的極紫外曝光中具有穩(wěn)定的響應(yīng)度,是關(guān)鍵的EUV光測量的理想選擇。

SXUV100      ODD-SXU-001      Large EUV Photodetector (1nm-190nm)

SXUV20C       ODD-SXU-051      EUV Low Noise Photodetector (1nm-190nm)

SXUV20HS1   ODD-SXU-004      High Speed EUV Photodetector (1nm-190nm

SXUV300C     ODD-SXU-044      Large EUV High Speed Ceramic Package Photodetector (1nm-190nm)

SXUV5    ODD-SXU-008      High Speed EUV Photodetector (1nm-90nm)

SXUV100 ODD-SXU-001大型EUV光電探測器(1nm-190nm

SXUV20C ODD-SXU-051 EUV低噪聲光電探測器(1nm-190nm

SXUV20HS1 ODD-SXU-004高速EUV光電探測器(1nm-190nm

SXUV300C ODD-SXU-044大型EUV高速陶瓷封裝光電探測器(1nm-190nm

SXUV5 ODD-SXU-008高速EUV光電探測器(1nm-90nm

光電二極管:集成薄膜、封裝和濾光器組件

光電二極管生產(chǎn)集成薄膜濾波器,用于檢測太陽EUV輻射、軟x射線輻射測量、x射線和EUV光刻、x射線顯微鏡和XUV光譜。我們還生產(chǎn)濾光窗、日光濾光器和多波長封裝組件。

AXUV100TF030     ODD-AXU-019     Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

AXUV100TF400     ODD-AXU-002     Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

SXUV100TF135      ODD-SXU-003      Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

AXUV100TF030 ODD-AXU-019直接沉積薄膜濾光片光電二極管具有直接沉積薄膜濾光片

AXUV100TF400 ODD-AXU-002光電二極管

SXUV100TF135 ODD-SXU-003直接沉積薄膜濾光片光電二極管

 

 

 

 

 



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